10KV 2KVA 干式浇注升压变压器功率半导体器件工频耐压试验设备

发布日期：2026-07-28

半导体芯片高压可靠性测试行业实际痛点

芯片封测实验室、半导体研发试验室开展功率芯片、MOS 管、IGBT、分立器件、封装晶圆高压反向耐压、绝缘击穿摸底试验时，常规升压供电设备存在多项短板：

普通工频升压电源电压输出稳定性不足，升压过程电压漂移量大，芯片对电压扰动极度敏感，微小电压波动会造成器件误击穿、测试数据重复性差，无法满足 JEDEC 可靠性测试标准存档要求。
常规高压设备局放控制较差，升压过程内部局部放电产生杂波干扰，影响漏电流数值采集精度，无法精准判定芯片绝缘层薄弱缺陷点。
容量规格不匹配，过小容量升压装置带载压降明显，无法完成长时间稳态高压保载试验；过大体积设备占用洁净实验室空间，不方便探针台、测试台配套集成摆放。
绝缘防护等级不足，10KV 高压输出端无可靠绝缘隔离与放电结构，洁净实验室操作存在触电、静电击穿芯片风险，不符合半导体车间 ESD 防静电管理规范。
普通变压器谐波分量偏大，施加高压时附加交变应力异常，容易对完好芯片造成不可逆电性损伤，导致批量测试样品非正常报废。

本款 2000VA 单相干式高压试验变压器，市电单相 220V 接入，工频升压输出 10KV，专为半导体功率芯片高压耐压、反向偏置可靠性摸底试验设计，可搭配前端接触调压器实现 0-10KV 平缓无级升压，适配芯片实验室标准化可靠性检测作业。

二、产品基础参数

设备名称：单相干式高压试验升压变压器（半导体芯片测试专用）

额定容量：2000VA

输入电压：单相 AC220V

输出额定高压：单相 AC10KV

绝缘结构：环氧树脂整体浇注干式绝缘

冷却方式：空气自冷

配套使用方式：前端串联 0-250V 单相调压器，实现 0-10KV 连续平滑升压

核心用途：半导体功率芯片、功率器件、封装模块工频高压耐压试验、高温反偏 HTRB 测试、绝缘击穿性能摸底

三、产品核心优势

精准 220V 升 10KV 变比，适配芯片耐压阶梯升压试验标准
绕组匝数经过精密计算，配合前端调压器可从零伏开始缓慢匀速抬升高压，严格遵循半导体器件耐压测试升压速率规范，可完整完成阶梯加压、额定电压长时间保压、击穿电压判定整套试验流程，加压过程线性平稳，不会出现电压跳变冲击芯片 PN 结。
环氧树脂浇注干式全绝缘结构，局放水平控制良好
高低压绕组采用环氧树脂真空整体浇注封装，内部气隙控制严谨，运行过程局部放电量处于较低水平，减少杂散信号对漏电流测试仪、半导体参数分析仪的干扰，保障测试读数真实有效，精准识别芯片内部微小绝缘缺陷。
2000VA 合理容量，长时间稳态保压温升平稳
铁芯选用低损耗取向硅钢片叠压成型，绕组为无氧铜导体绕制，长时间 10KV 额定电压持续保载运行设备本体发热平缓，可满足芯片数小时不间断高压老化摸底测试，无需中途停机降温，保证试验条件一致性。
初次级电气完全隔离，阻隔电网干扰与静电冲击
输入侧与高压输出侧电气隔离，可阻挡厂区电网浪涌、谐波、静电脉冲传导至被测芯片，降低测试过程中 ESD 静电损伤风险，适配半导体洁净实验室防静电管控要求，减少合格器件非正常损坏概率。
高压端配套绝缘防护结构，实验室操作安全性更高
10KV 高压引出端子配备加长绝缘套管，机身金属外壳可靠接地，预留外接放电球隙接口，试验结束可安全释放残余高压电荷；整机柜体做绝缘屏蔽处理，避免人员误触高压点位，满足实验室高压作业安全规范。
体积紧凑干式免维护，便于测试台集成摆放
无油浸结构不存在漏油污染洁净实验室环境的问题，整机外形规整，底座预留标准固定孔位，可直接放置于芯片测试工作台旁，与探针台、测试工装配套组合，日常仅需外部除尘即可完成基础维护。
工频纯正弦波输出，避免芯片附加应力损伤
纯工频正弦电压输出，无高频谐波叠加，施加在芯片两端的交变应力均匀，不会产生额外尖峰电压对完好器件造成隐性伤害，测试结果更贴合器件实际工频耐压耐受能力。

四、精准适用场景

功率 MOS 管、IGBT、SiC 碳化硅器件、三极管反向高压耐压击穿试验
半导体封装模块高温反偏 HTRB 长时间高压可靠性老化测试
晶圆裸片、封装成品绝缘层工频耐压强度摸底判定
芯片研发实验室新品电性极限耐压能力摸底、批次出厂可靠性抽检
第三方半导体检测机构器件型式试验、检测数据备案测试

10KVA 三相隔离变压器 380V 变 200V 进口数控机床电压转换电源

10KV 2KVA 干式浇注升压变压器 功率半导体器件工频耐压试验设备

半导体芯片高压可靠性测试行业实际痛点

二、产品基础参数

三、产品核心优势

四、精准适用场景

10KV 2KVA 干式浇注升压变压器功率半导体器件工频耐压试验设备